更新時(shí)間：2024-05-18
訪(fǎng)問(wèn)量：805
廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商
生產(chǎn)地址：德國(guó)
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,制藥,電氣,綜合 |
|---|---|---|---|
| HTS | 151-10-LC2 |
BEHLER MOSFET 低耦合電容件
高壓開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容，MOSFET
●具有真正繼電器特性的多功能高壓開(kāi)關(guān)
●TTL信號(hào)可控制導(dǎo)通時(shí)間
●由于耦合電容較低，簡(jiǎn)化了EMC并降低了容性損耗
●LC2技術(shù)具有最高的瞬態(tài)抗擾度
應(yīng)用筆記一:
C3產(chǎn)品組的開(kāi)關(guān)針對(duì)控制側(cè)和接地的耦合電容進(jìn)行了優(yōu)化。低耦合電容是高重復(fù)率下高效工作的關(guān)鍵?？紤]到低噪聲發(fā)射、良好的EMC行為、穩(wěn)定的操作和高開(kāi)關(guān)速度，減小的耦合電容也是期望的。LC和LC2開(kāi)關(guān)都能很好地滿(mǎn)足這些要求。但如果是最高開(kāi)關(guān)頻率(%3E 300千赫)，那么開(kāi)關(guān)系列LC是不錯(cuò)的選擇。LC系列的缺點(diǎn)是其有限的瞬態(tài)抗擾性，這使得它們對(duì)火花放電、短路、不穩(wěn)定的負(fù)載和不穩(wěn)定的輸入電壓相對(duì)敏感。與此相反，LC2系列開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)用于惡劣工作條件下的中等開(kāi)關(guān)頻率(%3C 300 kHz)。LC2開(kāi)關(guān)對(duì)不穩(wěn)定負(fù)載(例如等離子體負(fù)載)和不穩(wěn)定輸入電壓不敏感。在其散熱能力范圍內(nèi)，它們可以抵抗火花放電、短路和過(guò)壓瞬變。
應(yīng)用筆記二:
BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有上升和下降時(shí)間。如果您的應(yīng)用不需要全切換速度，我們建議您使用速度限制選項(xiàng)S-TT(上升和下降時(shí)間大約慢。50%)，結(jié)合輸入低通濾波器選項(xiàng)LP。速度限制選項(xiàng)有助于最小化快速高壓脈沖電路的高頻困難(例如自振蕩、自重新觸發(fā)、振鈴等)。)并從總體上簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)。
應(yīng)用附注三:
快速MOSFET開(kāi)關(guān)對(duì)來(lái)自未箝位感性負(fù)載或過(guò)度布線(xiàn)電感的反向電流相對(duì)敏感。
反向電流可能會(huì)以不確定的方式開(kāi)啟緩慢的本征(寄生)MOSFET二極管，并可能導(dǎo)致災(zāi)難性的開(kāi)關(guān)故障，尤其是在關(guān)斷階段以及高關(guān)斷電流期間。因此，當(dāng)感性負(fù)載或高感性布線(xiàn)連接到開(kāi)關(guān)時(shí)，建議始終將MOSFET開(kāi)關(guān)與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)(快速串聯(lián)阻塞二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管)結(jié)合使用。
這種保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可以通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管安裝在外部。它也可以作為選項(xiàng)I-FWDN集成到交換模塊中。請(qǐng)仔細(xì)閱讀一般說(shuō)明。
出口限制:
根據(jù)美國(guó)法律和德國(guó)法律(兩用法規(guī))，最大峰值電流等于或高于500安培的快速固態(tài)開(kāi)關(guān)受出口限制。沒(méi)有美國(guó)或德國(guó)出口當(dāng)局的有效出口許可，不得將這些貨物出口到第三國(guó)?？赡苄枰罱K用戶(hù)聲明。BEHLKE。
產(chǎn)品代碼:
型號(hào)包含有關(guān)電壓、電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前幾個(gè)數(shù)字代表以kV為單位的電壓，破折號(hào)前的最后一個(gè)數(shù)字表示導(dǎo)通行為(0 =固定導(dǎo)通時(shí)間，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間)。破折號(hào)后的數(shù)字表示電流，單位為安培x10。特殊功能由第二個(gè)破折號(hào)后的字母編碼。 HTS 31-12-LC示例:HTS =高壓晶體管開(kāi)關(guān)，3 = 3 kV，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間，12 = 120安培，LC =低耦合電容。
BEHLER MOSFET 低耦合電容件
LC2開(kāi)關(guān)。強(qiáng)大、穩(wěn)健和短暫的證明。請(qǐng)向下查看選項(xiàng)列表。
開(kāi)關(guān)模型 | 描述/評(píng)論 | 最大值電壓 [千伏] | 峰值電流 | 峰值功率 | 開(kāi)-抵制。 | 準(zhǔn)時(shí) | |
HTS 61-10-LC2 | ● | 帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼 | 6 | 100 | 0.6 | 2.3 | 120…∞ |
HTS 61-20-LC2 | ● | 帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼 | 6 | 200 | 1.2 | 1.15 | 120…∞ |
HTS 61-40-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。 | 6 | 400 | 2.4 | 0.65 | 120…∞ |
HTS 61-80-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。 | 6 | 800 | 4.8 | 0.29 | 120…∞ |
HTS 121-10-LC2 | ● | 帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼 | 12 | 100 | 1.2 | 4.6 | 120…∞ |
HTS 121-20-LC2 | ● | 帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼 | 12 | 200 | 2.4 | 2.3 | 120…∞ |
HTS 121-40-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。 | 12 | 400 | 4.8 | 1.65 | 120…∞ |
HTS 121-80-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。 | 12 | 800 | 9.6 | 0.82 | 120…∞ |
HTS 121-120-LC2 | ● | 法蘭外殼。里面的或分機(jī)?？刂茊卧?。高電流端子。I-FWDN集成。 | 12 | 1200 | 14.4 | 0.38 | 120…∞ |
HTS 121-240-LC2 | ● | 法蘭外殼。里面的或分機(jī)。控制單元。高電流端子。I-FWDN集成。 | 12 | 2400 | 18.8 | 0.19 | 120…∞ |
HTS 151-10-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 15 | 100 | 1.5 | 6.08 | 120…∞ |
HTS 151-20-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 15 | 200 | 3 | 3.04 | 120…∞ |
HTS 151-40-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 15 | 400 | 6 | 1.52 | 120…∞ |
HTS 151-80-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 15 | 800 | 12 | 0.76 | 120…∞ |
HTS 151-120-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 15 | 1200 | 18 | 1.7 | 120…∞ |
HTS 151-240-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 15 | 2400 | 36 | 0.85 | 120…∞ |
HTS 201-10-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 20 | 100 | 2 | 7.8 | 150…∞ |
HTS 201-20-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧８邏阂€(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 20 | 200 | 四 | 3.9 | 150…∞ |
HTS 201-40-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 20 | 400 | 8 | 1.9 | 150…∞ |
HTS 201-80-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧８唠娏鞫俗?。 | 20 | 800 | 16 | 0.95 | 150…∞ |
HTS 201-120-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧８唠娏鞫俗?。 | 20 | 1200 | 24 | 0.63 | 150…∞ |
HTS 201-160-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧８唠娏鞫俗?。 | 20 | 1600 | 32 | 0.47 | 150…∞ |
HTS 201-200-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高電流端子。 | 20 | 2000 | 40 | 0.38 | 150…∞ |
HTS 201-400-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高電流端子。 | 20 | 4000 | 80 | 0.19 | 150…∞ |
HTS 241-10-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 24 | 100 | 2.4 | 9.2 | 200…∞ |
HTS 241-20-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 24 | 200 | 4.8 | 4.6 | 200…∞ |
HTS 241-40-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高壓引線(xiàn)、母線(xiàn)或連接器螺栓。 | 24 | 400 | 9.6 | 2.3 | 200…∞ |
HTS 241-80-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 24 | 800 | 19.2 | 1.15 | 200…∞ |
HTS 241-120-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 24 | 1200 | 28.8 | 0.76 | 200…∞ |
HTS 241-160-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧８唠娏鞫俗?。 | 24 | 1600 | 38.4 | 0.57 | 200…∞ |
HTS 241-200-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 24 | 2000 | 48 | 0.46 | 200…∞ |
HTS 241-400-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 24 | 4000 | 96 | 0.23 | 200…∞ |
HTS 301-10-LC2 | ● | 法蘭或管狀外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧Ｋ懈邏哼B接器選項(xiàng)。 | 30 | 100 | 3 | 11.4 | 200…∞ |
HTS 301-20-LC2 | ● | 法蘭或管狀外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧Ｋ懈邏哼B接器選項(xiàng)。 | 30 | 200 | 6 | 5.7 | 200…∞ |
HTS 301-40-LC2 | ● | 法蘭或管狀外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。所有高壓連接器選項(xiàng)。 | 30 | 400 | 12 | 2.9 | 200…∞ |
HTS 301-80-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高電流端子。 | 30 | 800 | 24 | 1.43 | 200…∞ |
HTS 301-120-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 30 | 1200 | 36 | 2.9 | 200…∞ |
HTS 301-160-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部。控制單元。高電流端子。 | 30 | 1600 | 48 | 0.71 | 200…∞ |
HTS 301-200-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧８唠娏鞫俗?。 | 30 | 2000 | 60 | 0.57 | 200…∞ |
HTS 301-400-LC2 | ● | 法蘭外殼。內(nèi)部或外部?？刂茊卧?。高電流端子。 | 30 | 4000 | 120 | 0.29 | 200…∞ |
產(chǎn)品組C3 - MOSFET，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容
1) HTS 901-10-LC2，采用高壓瞬變防護(hù)LC2技術(shù)的低電容MOSFET開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)旨在滿(mǎn)足非?？量痰墓I(yè)要求。隔離電壓%3E 150千伏
(可選高達(dá)300 kV)。帶有內(nèi)置控制單元(可更換)。90千伏直流電，100安導(dǎo)通電阻%3C 40歐姆。開(kāi)啟上升時(shí)間%3C50 ns。
2) HTS 901-10-LC2，同上，但帶有選項(xiàng)SEP-C(獨(dú)立控制單元)和選項(xiàng)DLC(直接液體冷卻)。
HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開(kāi)關(guān)，帶選項(xiàng)th(管狀外殼)和選項(xiàng)DLC(直接液體冷卻)。100千伏直流電，200安一包。上升時(shí)間%3C最大50 ns。功耗30千瓦
漢達(dá)森*田*永*福
北京漢達(dá)森機(jī)械技術(shù)有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事歐洲工業(yè)產(chǎn)品進(jìn)口貿(mào)易的公司。主要產(chǎn)品有工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)電設(shè)備、液壓設(shè)備、電氣設(shè)備和零部件等產(chǎn)品。公司總部于2007年在德國(guó)成立。公司自成立以來(lái)，一直以德國(guó)公司的身份為國(guó)內(nèi)一些貿(mào)易商，設(shè)備商及終端客戶(hù)提供產(chǎn)品代購(gòu)服務(wù)。目前我們是德國(guó)、意大利、瑞典等數(shù)家工業(yè)設(shè)備生產(chǎn)商的中國(guó)區(qū)總代理；德國(guó)、意大利十幾家工業(yè)設(shè)備企業(yè)的一級(jí)分銷(xiāo)商。優(yōu)勢(shì)品牌超過(guò)八十個(gè)。與歐洲區(qū)兩千個(gè)以上的供貨商有業(yè)務(wù)往來(lái)。
我們的優(yōu)勢(shì)：
1 渠道廣泛，國(guó)內(nèi)有代理，或者有客戶(hù)保護(hù)廠(chǎng)家不賣(mài)的產(chǎn)品，只要您能提供型號(hào)，我們同樣可以從德國(guó)的分銷(xiāo)商來(lái)采購(gòu)。
2 價(jià)格合理，繞過(guò)層層代理，最大限度的讓利給客戶(hù)。
3 直接從德國(guó)廠(chǎng)家采購(gòu)，保證所有產(chǎn)品均為原裝正品。
BEHLKE:
HTS 240-48-B
MOSFET Switch
Ursprungsland: DE
HTS 240-104-B
MOSFET Switch
Ursprungsland: DE
HTS 241-30-SiC
Silicon Carbide Switch
Ursprungsland: DE
HTS 401-160-LC2
MOSFET Switch
FSWP 51-02 (NO)
Fast Square Wave Pulser No Options
GCF VI
Option Grounded Cooling Flange, Category VI
EXPRESS DE
Ursprungsland: DE
HTS 201-15-SiC
Silicon Carbide Switch
HTS 121-160-FI
IGBT Switch, Fast IGBT
Ursprungsland: DE
HTS 361-200-FI
IGBT Switch, Fast IGBT
Ursprungsland: DE
HTS 361-200-FI
IGBT Switch, Fast IGBT
Ursprungsland: DE
HTS 500-80
MOSFET Switch
MOSFET Switch
Ursprungsland: DE
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